1、同步電路和異步電路的區(qū)別是什么?(仕蘭微電子)
2、什么是同步邏輯和異步邏輯?(漢王筆試)
同步邏輯是時鐘之間有固定的因果關系。異步邏輯是各時鐘之間沒有固定的因果關系。
3、什么是"線與"邏輯,要實現(xiàn)它,在硬件特性上有什么具體要求?(漢王筆試)
線與邏輯是兩個輸出信號相連可以實現(xiàn)與的功能。在硬件上,要用oc門來實現(xiàn),由于不用 oc門可能使灌電流過大,而燒壞邏輯門。同時在輸出端口應加一個上拉電阻。
4、什么是Setup 和Holdup時間?(漢王筆試)
5、setup和holdup時間,區(qū)別.(南山之橋)
6、解釋setup time和hold time的定義和在時鐘信號延遲時的變化。(未知)
7、解釋setup和hold time violation,畫圖說明,并說明解決辦法。(威盛VIA
2003.11.06 上海筆試試題)
Setup/hold time 是測試芯片對輸入信號和時鐘信號之間的時間要求。建立時間是指觸發(fā)器的時鐘信號上升沿到來以前,數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時間。輸入信號應提前時鐘上升沿(如上升沿有效)T時間到達芯片,這個T就是建立時間-Setup time.如不滿足setup time,這個數(shù)據(jù)就不能被這一時鐘打入觸發(fā)器,只有在下一個時鐘上升沿,數(shù)據(jù)才能被打入觸發(fā)器。保持時間是指觸發(fā)器的時鐘信號上升沿到來以后,數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時間。如果hold time 不夠,數(shù)據(jù)同樣不能被打入觸發(fā)器。
建立時間(Setup Time)和保持時間(Hold time)。建立時間是指在時鐘邊沿前,數(shù)據(jù)信號需要保持不變的時間。保持時間是指時鐘跳變邊沿后數(shù)據(jù)信號需要保持不變的時間。如果不滿足建立和保持時間的話,那么DFF將不能正確地采樣到數(shù)據(jù),將會出現(xiàn) metastability的情況。如果數(shù)據(jù)信號在時鐘沿觸發(fā)前后持續(xù)的時間均超過建立和保持時間,那么超過量就分別被稱為建立時間裕量和保持時間裕量。
8、說說對數(shù)字邏輯中的競爭和冒險的理解,并舉例說明競爭和冒險怎樣消除。(仕蘭微 電子)
9、什么是競爭與冒險現(xiàn)象?怎樣判斷?如何消除?(漢王筆試)
在組合邏輯中,由于門的輸入信號通路中經過了不同的延時,導致到達該門的時間不一致叫競爭。產生毛刺叫冒險。如果布爾式中有相反的信號則可能產生競爭和冒險現(xiàn)象。解決方法:一是添加布爾式的消去項,二是在芯片外部加電容。
10、你知道那些常用邏輯電平?TTL與COMS電平可以直接互連嗎?(漢王筆試)
常用邏輯電平:12V,5V,3.3V;TTL和CMOS不可以直接互連,由于TTL是在0.3-3.6V之間,而CMOS則是有在12V的有在5V的。CMOS輸出接到TTL是可以直接互連。TTL接到CMOS需要在輸出端口加一上拉電阻接到5V或者12V。
11、如何解決亞穩(wěn)態(tài)。(飛利浦-大唐筆試)
亞穩(wěn)態(tài)是指觸發(fā)器無法在某個規(guī)定時間段內達到一個可確認的狀態(tài)。當一個觸發(fā)器進入亞
穩(wěn)態(tài)時,既無法預測該單元的輸出電平,也無法預測何時輸出才能穩(wěn)定在某個正確的電平
上。在這個穩(wěn)定期間,觸發(fā)器輸出一些中間級電平,或者可能處于振蕩狀態(tài),并且這種無
用的輸出電平可以沿信號通道上的各個觸發(fā)器級聯(lián)式傳播下去。
12、IC設計中同步復位與 異步復位的區(qū)別。(南山之橋)
13、MOORE 與 MEELEY狀態(tài)機的特征。(南山之橋)
14、多時域設計中,如何處理信號跨時域。(南山之橋)
15、給了reg的setup,hold時間,求中間組合邏輯的delay范圍。(飛利浦-大唐筆試)
Delay < period - setup – hold
16、時鐘周期為T,觸發(fā)器D1的建立時間最大為T1max,最小為T1min。組合邏輯電路最大延
遲為T2max,最小為T2min。問,觸發(fā)器D2的建立時間T3和保持時間應滿足什么條件。(華
為)
17、給出某個一般時序電路的圖,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,還有 clock的delay,寫出決
定最大時鐘的因素,同時給出表達式。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
18、說說靜態(tài)、動態(tài)時序模擬的優(yōu)缺點。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
19、一個四級的Mux,其中第二級信號為關鍵信號如何改善timing。(威盛VIA
2003.11.06 上海筆試試題)
20、給出一個門級的圖,又給了各個門的傳輸延時,問關鍵路徑是什么,還問給出輸入,
使得輸出依賴于關鍵路徑。(未知)
21、邏輯方面數(shù)字電路的卡諾圖化簡,時序(同步異步差異),觸發(fā)器有幾種(區(qū)別,優(yōu)
點),全加器等等。(未知)
22、卡諾圖寫出邏輯表達使。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
23、化簡F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。(威盛)
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-
well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the
operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威
盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09)
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define
the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
26、為什么一個標準的倒相器中P管的寬長比要比N管的寬長比大?(仕蘭微電子)
27、用mos管搭出一個二輸入與非門。(揚智電子筆試)
28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and
explain which input has faster response for output rising edge.(less delay
time)。(威盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09)
29、畫出NOT,NAND,NOR的符號,真值表,還有transistor level的電路。(Infineon筆
試)
30、畫出CMOS的圖,畫出tow-to-one mux gate。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
31、用一個二選一mux和一個inv實現(xiàn)異或。(飛利浦-大唐筆試)
32、畫出Y=A*B+C的cmos電路圖。(科廣試題)
33、用邏輯們和cmos電路實現(xiàn)ab+cd。(飛利浦-大唐筆試)
34、畫出CMOS電路的晶體管級電路圖,實現(xiàn)Y=A*B+C(D+E)。(仕蘭微電子)
35、利用4選1實現(xiàn)F(x,y,z)=xz+yz’。(未知)
36、給一個表達式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少數(shù)量的與非門實現(xiàn)(實際上就是化
簡)。
37、給出一個簡單的由多個NOT,NAND,NOR組成的原理圖,根據(jù)輸入波形畫出各點波形。
(Infineon筆試)
38、為了實現(xiàn)邏輯(A XOR B)OR (C AND D),請選用以下邏輯中的一種,并說明為什
么?1)INV 2)AND 3)OR 4)NAND 5)NOR 6)XOR 答案:NAND(未知)
39、用與非門等設計全加法器。(華為)
40、給出兩個門電路讓你分析異同。(華為)
41、用簡單電路實現(xiàn),當A為輸入時,輸出B波形為…(仕蘭微電子)
42、A,B,C,D,E進行投票,多數(shù)服從少數(shù),輸出是F(也就是如果A,B,C,D,E中1的個數(shù)比0
多,那么F輸出為1,否則F為0),用與非門實現(xiàn),輸入數(shù)目沒有限制。(未知)
43、用波形表示D觸發(fā)器的功能。(揚智電子筆試)
44、用傳輸門和倒向器搭一個邊沿觸發(fā)器。(揚智電子筆試)
45、用邏輯們畫出D觸發(fā)器。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
46、畫出DFF的結構圖,用verilog實現(xiàn)之。(威盛)
47、畫出一種CMOS的D鎖存器的電路圖和版圖。(未知)
48、D觸發(fā)器和D鎖存器的區(qū)別。(新太硬件面試)
49、簡述latch和filp-flop的異同。(未知)
50、LATCH和DFF的概念和區(qū)別。(未知)
51、latch與register的區(qū)別,為什么現(xiàn)在多用register.行為級描述中l(wèi)atch如何產生的。
(南山之橋)
52、用D觸發(fā)器做個二分顰的電路.又問什么是狀態(tài)圖。(華為)
53、請畫出用D觸發(fā)器實現(xiàn)2倍分頻的邏輯電路?(漢王筆試)
54、怎樣用D觸發(fā)器、與或非門組成二分頻電路?(東信筆試)
55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16? (Intel) 16分頻?
56、用filp-flop和logic-gate設計一個1位加法器,輸入carryin和current-stage,輸出
carryout和next-stage. (未知)
57、用D觸發(fā)器做個4進制的計數(shù)。(華為)
58、實現(xiàn)N位Johnson Counter,N=5。(南山之橋)
59、用你熟悉的設計方式設計一個可預置初值的7進制循環(huán)計數(shù)器,15進制的呢?(仕蘭
微電子)
60、數(shù)字電路設計當然必問Verilog/VHDL,如設計計數(shù)器。(未知)
61、BLOCKING NONBLOCKING 賦值的區(qū)別。(南山之橋)
62、寫異步D觸發(fā)器的verilog module。(揚智電子筆試)
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input [7:0] d;
output [7:0] q;
reg [7:0] q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
63、用D觸發(fā)器實現(xiàn)2倍分頻的Verilog描述? (漢王筆試)
module divide2( clk , clk_o, reset);
input clk , reset;
output clk_o;
wire in;
reg out ;
always @ ( posedge clk or posedge reset)
if ( reset)
out <= 0;
else
out <= in;
assign in = ~out;
assign clk_o = out;
endmodule
64、可編程邏輯器件在現(xiàn)代電子設計中越來越重要,請問:a) 你所知道的可編程邏輯器
件有哪些? b) 試用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D觸發(fā)器邏輯。(漢王筆試)
PAL,PLD,CPLD,F(xiàn)PGA。
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input d;
output q;
reg q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
65、請用HDL描述四位的全加法器、5分頻電路。(仕蘭微電子)
66、用VERILOG或VHDL寫一段代碼,實現(xiàn)10進制計數(shù)器。(未知)
67、用VERILOG或VHDL寫一段代碼,實現(xiàn)消除一個glitch。(未知)
68、一個狀態(tài)機的題目用verilog實現(xiàn)(不過這個狀態(tài)機畫的實在比較差,很容易誤解
的)。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
69、描述一個交通信號燈的設計。(仕蘭微電子)
70、畫狀態(tài)機,接受1,2,5分錢的賣報機,每份報紙5分錢。(揚智電子筆試)
71、設計一個自動售貨機系統(tǒng),賣soda水的,只能投進三種硬幣,要正確的找回錢
數(shù)。 (1)畫出fsm(有限狀態(tài)機);(2)用verilog編程,語法要符合fpga設計
的要求。(未知)
72、設計一個自動飲料售賣機,飲料10分錢,硬幣有5分和10分兩種,并考慮找零:(1)
畫出fsm(有限狀態(tài)機);(2)用verilog編程,語法要符合fpga設計的要求;(3)設計
工程中可使用的工具及設計大致過程。(未知)
73、畫出可以檢測10010串的狀態(tài)圖,并verilog實現(xiàn)之。(威盛)
74、用FSM實現(xiàn)101101的序列檢測模塊。(南山之橋)
a為輸入端,b為輸出端,如果a連續(xù)輸入為1101則b輸出為1,否則為0。
例如a: 0001100110110100100110
b: 0000000000100100000000
請畫出state machine;請用RTL描述其state machine。(未知)
75、用verilog/vddl檢測stream中的特定字符串(分狀態(tài)用狀態(tài)機寫)。(飛利浦-大唐
筆試)
76、用verilog/vhdl寫一個fifo控制器(包括空,滿,半滿信號)。(飛利浦-大唐筆試)
77、現(xiàn)有一用戶需要一種集成電路產品,要求該產品能夠實現(xiàn)如下功能:y=lnx,其中,x
為4位二進制整數(shù)輸入信號。y為二進制小數(shù)輸出,要求保留兩位小數(shù)。電源電壓為3~5v假
設公司接到該項目后,交由你來負責該產品的設計,試討論該產品的設計全程。(仕蘭微
電子)
78、sram,falsh memory,及dram的區(qū)別?(新太硬件面試)
79、給出單管DRAM的原理圖(西電版《數(shù)字電子技術基礎》作者楊頌華、馮毛官205頁圖9
-14b),問你有什么辦法提高refresh time,總共有5個問題,記不起來了。(降低溫
度,增大電容存儲容量)(Infineon筆試)
80、名詞:sram,ssram,sdram
名詞IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
IRQ: Interrupt ReQuest
BIOS: Basic Input Output System
USB: Universal Serial Bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language
SDR: Single Data Rate
壓控振蕩器的英文縮寫(VCO)。
動態(tài)隨機存儲器的英文縮寫(DRAM)。
名詞解釋,無聊的外文縮寫罷了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、
IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(壓控振蕩器) RAM (動態(tài)隨機存儲器),F(xiàn)IR IIR DFT(離散
傅立葉變換)或者是中文的,比如:a.量化誤差 b.直方圖 c.白平衡
81、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out
which nodes can store data and which node is word line control? (威盛筆試題
circuit design-beijing-03.11.09)
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