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美國(guó)芯源(MPS)筆試試題

我應(yīng)聘的是IPE,所以先講這個(gè)。

IP Engineer

1. 給六個(gè)元件,讓描述各元件功能,以及其中電壓,電流之間的關(guān)系,有MOSFET,二極管,電容,電感,電阻,BJT;

2. 電壓比較器,給了輸入值,讓寫出輸出值;

3. 電容和電阻并聯(lián),再與一個(gè)二極管串聯(lián)的電路,在電容,電阻,二極管分別斷開(kāi)情況下,給定輸入電壓變化曲線,畫輸出電壓,涉及到電容充放電的過(guò)程,時(shí)間計(jì)算等

4. 兩段英文翻譯成中文(關(guān)于平板背光顯示,開(kāi)關(guān)電源),和一段中文翻譯成英文。

Test Engineer(應(yīng)該是最簡(jiǎn)單的一套題,但考試范圍很廣,要求各方面基礎(chǔ)扎實(shí))

1. 你最喜歡的一門課,說(shuō)出原因;2,歐姆定律定義;3,用C語(yǔ)言給數(shù)組排序。

5. 電壓源,電流源的阻抗性質(zhì),用他們和電阻組成電路,要求測(cè)阻值;設(shè)計(jì)用電壓源測(cè)二極管的好壞的電路

6. 電容,電感定義,流經(jīng)的電流與電壓關(guān)系。

7. 畫高斯分布曲線

8. 算一個(gè)波形的周期,占空比

9. 畫NMOSFET的電壓電流傳輸曲線

10. 有電感,電容,開(kāi)關(guān)串聯(lián)組成的電路,開(kāi)關(guān)通斷時(shí),給定輸入波形后畫輸出波形

11. 上題中加入電容后,繼續(xù)畫波形(電路分析多看看就沒(méi)問(wèn)題)

12. 后面幾道題基本都是電容,電感,開(kāi)關(guān),二極管組成的電路,要求畫輸出波形;

13. 還有幾道有關(guān)運(yùn)放的題,主要在電壓比較器,加減法電路,基本都是畫波形。

FA/Product Engineer

1. PMOS管中,G,D短接后的輸出特性曲線,在Vds變化時(shí)的輸出特性曲線

2. NMOS中,Vds<0,Vgs=0的I-V曲線;

3. NPN BJT中,畫Ic和Vce特性曲線,Vce從0-50V;

4,標(biāo)準(zhǔn)CMOS反向器,描述至少一種歐姆接觸,畫DC轉(zhuǎn)移函數(shù)

5.描述CMOS反向器閂鎖效應(yīng),涉及的有關(guān)問(wèn)題

還有兩道鏡像電流源有關(guān)的計(jì)算題,和一個(gè)遲滯比較器的計(jì)算題。

Application Engineer

1, 線圈耦合,四個(gè)端點(diǎn),分別接指定兩個(gè),算等價(jià)的電感;

2, 運(yùn)算放大電路計(jì)算題

3, 含二極管的電路,給定輸入電壓,畫輸出

4, 理想運(yùn)放運(yùn)算電路的計(jì)算題

5, NMOS,PMOS串聯(lián)后,管的類型,以及放大系數(shù)(選擇)

6, 有電壓源,電流源的電路,算支路電流

7, 電容,二極管,電感串聯(lián),給定輸出電壓,畫經(jīng)過(guò)每一器件的電壓圖

8, 電容,電感,MOSFET在電路中的計(jì)算題;

Design Engineer

這個(gè)題最難,MPS里給的待遇也最高;

基本都是計(jì)算大題,都是復(fù)雜的電路,最后有10個(gè)判斷題。小女子不才,沒(méi)學(xué)這么高深,僅靠本科的那點(diǎn)積蓄基本看不懂,相信申請(qǐng)這個(gè)職位的牛人會(huì)認(rèn)為是小菜一碟吧,嘿嘿

最后,祝大家都找到滿意的工作!!

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