收集一：

　　一.填空

　　1.集成電路的分類，按材料，工藝

　　2.集成電阻的計(jì)算，以及其制造工藝

　　3.Vtp，Vtn的正負(fù)判斷，分別對于增強(qiáng)型和耗盡型

　　4.CMOS電路功耗包括哪兩個(gè)部分，功耗設(shè)計(jì)主要考慮的因素

　　……(還有幾道不記得了)

　　二.填表

　　全定制，門陣列，F(xiàn)PGA各自單元模塊，連線的性質(zhì)……

　　三.填圖

　　CMOS工藝流程填圖畫圖

　　四.問答

　　1.CMOS單元負(fù)載較大的電容時(shí)，只有提高W，這樣會(huì)使W*L增加，相對前級(jí)又時(shí)一個(gè)大電容，如何解決這一矛盾?

　　2.結(jié)合軟件談?wù)勅�定制集成電路設(shè)計(jì)流程

　　3.談?wù)剬�Layout設(shè)計(jì)的看法

　　五.翻版圖或者畫版圖，選一

　　第二卷

　　1.什么是格雷碼?

　　2.Nyquist采樣定例

　　3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功

　　4.運(yùn)算放大器1，…………2，有幾級(jí)，各級(jí)之間耦合方式有幾種，分析各種的優(yōu)劣。

　　收集二：1.畫出NMOS的特性曲線(指明飽和區(qū)，截至區(qū)，線性區(qū)，擊穿區(qū)和C-V曲線)

　　2.2.2um工藝下，Kn=3Kp，設(shè)計(jì)一個(gè)反相器，說出器件尺寸。

　　3.說出制作N-well的工藝流程。

　　4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機(jī)理和區(qū)別。

　　5.用CMOS畫一個(gè)D觸發(fā)器(clk，d，q，q-)